Test & Analytik

Das CiS Forschungsinstitut bietet seinen Kunden die Durchführung von Leistungen auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik, der Fehleranalyse und Qualitätssicherung an.
Das Institut hat insbesondere auf dem Gebiet der Material- und Halbleiteranalytik für Prozesse und Technologien der Mikrosystemtechnik und der Mikroelektronik eine langjährige Erfahrung. Wir bieten Ihnen Analysedienstleistungen in folgenden Bereichen:


Fotolithographie und Ätzprozesse

  • REM-Bewertung von Strukturen zur Erfassung von Strukturbreiten und Rastermaßen sowie Strukturgestalt (Flankenform, Flankenwinkel) an Querbrüchen, Schliffen und ionenstrahlgeätzten Präparaten
  • geometrische Vermessung von Siliziumstrukturen mittels kontaktloser IR-Schichtdickeninterferometrie


Dotierung und Hochtemperatur

  • Eindringtiefenbestimmung an Schrägschliffen nach nasschemischer Dekoration und licht- und elektronenoptischer Vermessung
  • Analyse von Tiefenprofilen von Dotierungselementen mit SIMS zur Bestimmung von Konzentrationsverlauf, Dosis und Eindringtiefe
  • Abbildung von Lateralverteilungen der Dotierungselemente
  • Qualitative Beurteilung von Reinigungsprozessen


Metallisierung und Passivierung

  • REM-Bewertung zur Defektanalyse und Erfassung von Strukturparametern an Oberflächen und Querschnittspräparaten
  • SIMS-Analysen zur Bestimmung von Spurenelementen in Metallisierungsschichten
  • Erfassung der Oberflächentopographie mittels optischer und taktiler Profilometrie


Gesamtprozessanalyse

  • REM-Bewertung der Vertikalstruktur an Querschnittspräparaten
  • Partikel-, Element- und Defektanalyse mittels ESMA und SIMS
  • Oberflächencharakterisierung und Rauheitsmessungen mittels Profilometrie und Rasterkraftmikroskopie
  • Vermittlung von weiterführenden Dienstleistungen aus einem breiten Analytikspektrum in Zusammenarbeit mit langjährigen Kooperationspartnern
  • technologische Dokumentation



Es stehen folgende Geräte und Methoden zur Verfügung:

  • Metallografie (Schliff-, Zielschliff- und Poliertechnik für Proben bis zu einer Größe von 4“)
  • Probenpräparation (Vakuumbedampfung, Sputter- und Ionenätzeinrichtung)
  • Lichtmikroskopie
  • Rasterelektronenmikroskopie
  • Rasterkraftmikroskopie (Rauheitsanalyse im nm-Bereich)
  • Elektronenstrahlmikroanalyse (EDX)
  • Dynamische Sekundärionenmassenspektrometrie (Tiefenprofilanalyse, Ionenabbildungen, Massenspektrum)
  • Optische Oberflächenprofilometrie (Flächen- und Linienscans mittels konfokalem und Autofokus-Sensor)

 

 

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