Fotodioden

Für optische Präzisionsmessungen sowohl im industriellen wie im wissenschaftlichen Bereich werden im CiS kundenspezifische Silizium-Fotodioden und Fotodiodenarrays für den Wellenlängenbereich 350-1100 nm entwickelt und gefertigt. Sie sind anwendbar z.B. bei Weg-, Winkel- und Längenmessung, in der Informations- und Kommunikationstechnik, für Überwachungs-, Sicherheits wie auch Labormesstechnik. Der Einsatz unterschiedlicher Silizium-Substrate ermöglicht die Realisierung von Fotodioden mit alternativ

  • niedriger Kapazität (Low capacity) (<1,5 pF/mm²)
  • kleinem Dunkelstrom (Low dark current) (<0,04 nA/ mm²)
  • kurzer Schaltzeit (Short rise time) (<5ns).

Die spektrale Empfindlichkeit aller Fotodioden - gegebenenfalls auch der einzelnen Elemente - kann durch integrierte Filterschichten angepasst werden.
Die Fotodioden werden sowohl als Chip wie auch im Gehäuse angeboten.


Produktbeispiele

   

PIN - Differenz-Fotodioden

Differenzdioden ausgeführt als Doppel-Diode, Vierfach-Diode, Doppelkeil-Diode oder Kreis-Kreisring-Diode.


PIN - Fotodiodenzeilen

Diodenzeilen unterschiedlicher Elementanzahl und Größe der Einzelstreifen. Für spezielle Überwachungsfunktionen (z.B. Spaltposition) werden in Reihe angeordnete schräge Streifen angewendet.


PIN - Matrix-Fotodioden

Orthogonale Anordnung von quadratischen Fotodioden-Elementen in Matrixform mit  unterschiedlichen Größen (Anzahl von Reihen und Zeilen).


Kundenspezifische PIN-Arrays

Fotodiodenarrays mit anwendungsspezifischer Geometrie der sensitiven Flächen sowie Form, Lage und Abstand der Fotodioden.