Lift-off-Maskierungsverfahren

Bei der anwendungsspezifischen Gestaltung von Sensoren im Backend-Bereich der Waferbearbeitung werden häufig Maskentechniken benötigt, die einerseits die Strukturierung von verschiedenen Schichten ohne nasschemische oder Trocken-Ätzprozesse sowie andererseits mit hoher Selektivität und Auflösung ermöglichen.
Häufig sind dünne Metallisierungsschichten, metallische Mehrfachschichten (zum Beispiel Under-Bump- Metallisierungen Ti-Ni-Au, Ti-Pd-Au u.a.), Edelmetalle oder Silizide zu strukturieren.
Diese funktionale Strukturierung soll möglichst im Batchpprozess erfolgen können.

  • Für anspruchsvolle Lift-off-Techniken wurde ein Zweilagen-Resist-System entwickelt.
    Der "Unterschnitt" der Lackkanten kann durch die Gestaltung des Entwicklungsschrittes an das zu strukturierende Layout und Material angepasst werden.

 

 



  • Die Lift-off-Maske kann leicht im Aceton oder speziellem Remover rückstandsfrei abgelöst werden. Gegebenenfalls kann vor dem Lift-off-Prozess noch eine weitere Prozessierung, z.B. ein Bump-Deposition, stattfinden.
    In Abhängigkeit vom angestrebten Unterschnitt können Strukturen mit einer Auflösung ab ca. 3 … 10 µm realisiert werden.
  • Für weitere Einsatzfälle wurde ein einfacher und kostengünstiger Herstellungsprozess für Lift-off-Masken auf der Basis von Einlagen-Lift-off-Systemen entwickelt.
    Für verschiedene Strukturierungsaufgaben innerhalb der Mikrosystemtechnik wurde ein Einlagen-Lift-off-System mit einer minimalen Auflösung ab ca. 5 µm entwickelt.

 

 


  • Der Lift-off-Prozess lässt sich mit Aceton bei Raumtemperatur innerhalb von wenigen Sekunden durchführen. Problemlos können dünne Metall- und Edelmetallschichten mit einer Dicke von weniger als 30 nm innerhalb von 20 Sekunden "geliftet" werden.

 

 

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