Tiefenstrukturierung

Zur Realisierung von 3D-Komponenten werden je nach Strukturanforderungen und Kompatibilitätsforderung mit anderen Herstellungsverfahren oder Materialien verschiedene Verfahren zur Strukturierung lateral maskierter Bereiche in der dritten Dimension ("Tiefe") benötigt.
Für komplexe mehrdimensionale Formen können mehrere der Verfahren zur 3D-Strukturierung kombiniert werden.
Durch die Kristallstruktur des Siliziums sind die durch isotrope und anisotrope nasschemische Ätzprozesse erreichbaren Formen eng begrenzt vorgegeben. Für eine größere Vielfalt der abtragenden Formbarkeit von Silizium werden elektrochemische oder plasmaunterstützte Ätzprozesse eingesetzt.

Die vorgenannten Tiefenätzungen werden für die Realisierung von 3D-Komponenten in Chips, vornehmlich Through-Silicon-VIAs, Membranen, auch in Verbindung mit biegesteifen Strukturen, Biegebalken, Federstrukturen, Trenches, abgesenkten Bondbereichen u.a.m. und Konstruktionselemente, wie z.B. Chipträger, mechanisch-elektrische Schnittstellen für Nano- und Mikrostrukturierte Sensoren und Aktuatoren, funktionale Kavitäten für optische Systeme, mechanische Halterungen in Lab-on-Chip-Applikationen, mechanische Halterungen für optische und mikrooptische Komponenten u.a.m. eingesetzt.